mô-đun IGCT 3BHB003230R0101, Trung Quốc — Nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy mô-đun IGCT 3BHB003230R0101 3BHB003230R0101

Tổng quan

Nơi Xuất Xứ:	Thụy Điển
Tên thương hiệu:	ABB
Số kiểu máy:	3BHB003230R0101
Chi tiết đóng gói:	Nguyên bản, mới, đóng gói nhà máy
Thời gian giao hàng:	5-7 ngày
Điều khoản thanh toán:	T\/T
Khả năng cung cấp:	Có sẵn

Đặc tả

Thông số kỹ thuật	Giá trị
Tên sản phẩm	3BHB003230R0101
Loại mô-đun	Mô-đun IGCT
Kích thước	20 × 24 × 5 cm
Trọng lượng	1.2 kg
Đánh giá điện áp	1700 V
Dòng điện định mức	450 A ở nhiệt độ vỏ 25 °C (điều kiện vận hành định mức)
Dạng bao bì	Bao bì chuẩn SEMITRANS 3 (thiết kế mô-đun nhằm thuận tiện cho lắp đặt và tản nhiệt)
Công nghệ chip	Chip IGBT thế hệ thứ 7 của ABB (tổn hao dẫn thấp, tần số chuyển mạch cao lên đến 20 kHz, ≤1,8 V)
Giao diện tản nhiệt	Chất nền đồng tiêu chuẩn tương thích với các hệ thống làm mát bằng nước và làm mát bằng không khí
Mức Độ Cách Ly	2500 Vrms (đáp ứng tiêu chuẩn IEC 60747)
Nhiệt độ hoạt động	-40 °C đến +150 °C (nhiệt độ điểm nối)

Mô tả

Các 3BHB003230R0101 là Mô-đun IGCT do ABB phát triển cho các ứng dụng điện áp cao và công suất cao. Sản phẩm tích hợp chuyên môn kỹ thuật sâu rộng của ABB trong lĩnh vực điện tử công suất và điều khiển nhằm cung cấp cho người dùng các giải pháp điều khiển công suất hiệu quả và ổn định.

Mô-đun IGCT này thể hiện hiệu năng điện xuất sắc, có khả năng vận hành ổn định trong điều kiện điện áp cao và dòng điện lớn, đảm bảo độ tin cậy và an toàn cho các hệ thống điện. Công nghệ thyristor ngắt cổng tích hợp (IGCT) của mô-đun cho phép phản ứng nhanh và tổn hao thấp trong quá trình chuyển mạch, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi điện năng.

Ứng dụng

Nhà máy luyện thép: Hỗ trợ hệ thống biến tần của máy cán chính, có khả năng xử lý hàng chục nghìn kilowatt.

Nhà máy khai khoáng và tuyển quặng: Điều khiển động cơ đồng bộ áp suất cao cho các máy nghiền bi cỡ lớn.

Nhà máy phân bón: Quản lý các động cơ áp suất cao của máy nén amoniac cỡ lớn.

Nhà máy điện phân nhôm: Chịu trách nhiệm về việc chuyển đổi và điều phối công suất quy mô lớn tại trạm chỉnh lưu.

Xưởng đóng tàu: Được sử dụng trong hệ thống điều khiển truyền động điện cho các tàu lớn.

Ưu điểm cạnh tranh

Mật độ điện năng cao

Bố trí chip và thiết kế vỏ bọc được tối ưu hóa đạt hiệu năng 450 A/1700 V trong kích thước nhỏ gọn.

Lý tưởng cho các bộ biến tần điện áp cao, bộ biến tần lưu trữ năng lượng và các thiết bị khác có yêu cầu hạn chế không gian lắp đặt.

Đặc tính tổn thất thấp

chip IGBT thế hệ thứ 7 giảm thiểu tổn thất dẫn và tổn thất chuyển mạch.

Cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống (thông thường ≥ 98,5%) và giảm tiêu thụ năng lượng trong quá trình vận hành.

Độ tin cậy cao

Điốt tự do tích hợp (FWD) có khả năng chịu dòng xung cao.

Vỏ bọc sử dụng vật liệu cách điện chịu nhiệt để chịu được sự biến động nhiệt độ và rung động trong môi trường công nghiệp.

Câu hỏi thường gặp

Hỏi: Sản phẩm 3BHB003230R0101 bản thân IGCT?
A: Không, đây là bo mạch điều khiển lõi chịu trách nhiệm điều khiển và quản lý các mô-đun IGCT.

Q: Tại sao hệ thống báo lỗi “Lỗi giao tiếp IGCT” trên 3BHB003230R0101 ?
A: Lỗi này có thể do bộ phát sợi quang trên bo mạch bị lão hóa hoặc cáp sợi quang nối với IGCT bị hư hỏng.

Q: IGCT có tự động khôi phục hoạt động sau khi thay thế bo mạch chủ của 3BHB003230R0101 ?
A: Không, firmware của bo mạch chủ và các tham số logic của IGCT phải được đồng bộ lại bằng các công cụ PC chuyên dụng.

Q: Bo mạch điều khiển có thể quản lý bao nhiêu mô-đun IGCT? 3BHB003230R0101 có thể điều khiển bao nhiêu van điều khiển?
A: Điều này phụ thuộc vào cấu trúc hệ thống, nhưng thông thường một bo mạch điều khiển có thể quản lý từ 6 đến 12 đơn vị công suất IGCT.

H: Thiết bị 3BHB003230R0101 bo mạch có lớp bảo vệ chống ăn mòn không?
A: Có, ký hiệu hậu tố AE cho biết bề mặt bảng mạch in (PCB) được phủ lớp chống ăn mòn.