μονάδα IGCT 3BHB003230R0101

Επισκόπηση

Τόπος Προέλευσης:	Σουηδία
Επωνυμία:	ΑΒΒ
Αριθμός Μοντέλου:	3BHB003230R0101
Λεπτομέρειες Πακέτων:	Αυθεντικό καινούριο, σφραγισμένο από το εργοστάσιο
Χρόνος παράδοσης:	5-7 Ημέρες
Όροι Πληρωμής:	T/T
Δυνατότητα Εφοδιασμού:	Σε απόθεμα

Προδιαγραφές

Περιγραφή

Ο 3BHB003230R0101 είναι ένας μονάδα IGCT που αναπτύχθηκε από την ABB για εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος. Ενσωματώνει την εκτεταμένη τεχνική εμπειρογνωμοσύνη της ABB στα ηλεκτρονικά ισχύος και τον έλεγχο, προσφέροντας στους χρήστες αποτελεσματικές και σταθερές λύσεις ελέγχου ισχύος.

Αυτή η μονάδα IGCT παρουσιάζει εξαιρετική ηλεκτρική απόδοση, ικανή να λειτουργεί σταθερά σε συνθήκες υψηλής τάσης και υψηλού ρεύματος, διασφαλίζοντας την αξιοπιστία και την ασφάλεια των συστημάτων ισχύος. Η ενσωματωμένη τεχνολογία θυρίστορ με ελεγχόμενη απενεργοποίηση στην πύλη (IGCT) επιτρέπει γρήγορη ανταπόκριση και χαμηλές απώλειες κατά τις διαδικασίες εναλλαγής, βελτιώνοντας έτσι την απόδοση μετατροπής ισχύος.

Εφαρμογές

Χαλυβουργείο: Υποστηρίζει το σύστημα μετατροπής συχνότητας του κύριου ελάστρου, το οποίο μπορεί να διαχειριστεί δεκάδες χιλιάδες κιλοβάτ.

Ορυχείο και εγκατάσταση εμπλουτισμού: Ελέγχει την υψηλής τάσης σύγχρονη κίνηση μεγάλων σφαιρικών μυλων.

Εργοστάσιο λιπασμάτων: Διαχειρίζεται τους κινητήρες υψηλής τάσης μεγάλων συμπιεστών αμμωνίας.

Εργοστάσιο ηλεκτρολυτικής παραγωγής αλουμινίου: Είναι υπεύθυνο για τη μετατροπή και διανομή μεγάλης κλίμακας ηλεκτρικής ενέργειας στον σταθμό ανόρθωσης.

Ναυπηγείο: Χρησιμοποιείται στο σύστημα ελέγχου ηλεκτρικής πρόωσης μεγάλων πλοίων.

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα

Υψηλή πυκνότητα ισχύος

Η βελτιστοποιημένη διάταξη των chips και ο σχεδιασμός της συσκευασίας επιτυγχάνουν απόδοση 450 A/1700 V σε συμπαγή μορφή.

Ιδανικό για αντιστροφείς υψηλής τάσης, αντιστροφείς αποθήκευσης ενέργειας και άλλες συσκευές με περιορισμένο χώρο.

Χαμηλά χαρακτηριστικά απωλειών

το τσιπ IGBT 7ης γενιάς ελαχιστοποιεί τις απώλειες διέλευσης και εναλλαγής.

Βελτιώνει τη συνολική απόδοση του συστήματος (τυπικά ≥ 98,5 %) και μειώνει την κατανάλωση ενέργειας κατά τη λειτουργία.

Υψηλή αξιοπιστία

Ενσωματωμένη δίοδος ελεύθερης τροχιάς (FWD) με υψηλή ικανότητα αντοχής σε κορύφωση ρεύματος.

Το πακέτο χρησιμοποιεί μονωτικά υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα για να αντέχει τις βιομηχανικές διακυμάνσεις θερμοκρασίας και την ταλάντωση.

Συχνές Ερωτήσεις

Ε: Είναι συμβατό με SoC HiSilicon και Fullhan; 3BHB003230R0101 το ίδιο το IGCT;
Α: Όχι, είναι η κύρια πλακέτα ελέγχου που είναι υπεύθυνη για την οδήγηση και τη διαχείριση των μονάδων IGCT.

Ε: Γιατί το σύστημα αναφέρει «Σφάλμα Επικοινωνίας IGCT» στο 3BHB003230R0101 ?
Α: Αυτό μπορεί να οφείλεται στη γήρανση του ενσωματωμένου οπτικού μεταδότη ή σε κατεστραμμένο οπτικό καλώδιο που συνδέει το IGCT.

Ε: Θα επαναφέρει αυτόματα το IGCT τη λειτουργία του μετά την αντικατάσταση της μητρικής πλακέτας του 3BHB003230R0101 ?
Α: Όχι, το λογισμικό της μητρικής πλακέτας και οι λογικές παράμετροι του IGCT πρέπει να επανασυγχρονιστούν χρησιμοποιώντας ειδικά εργαλεία PC.

Ε: Πόσες μονάδες IGCT μπορεί να διαχειριστεί η 3BHB003230R0101 βαλβίδα ελέγχου;
Α: Εξαρτάται από την τοπολογία του συστήματος, αλλά συνήθως μία πλακέτα ελέγχου μπορεί να διαχειριστεί 6–12 ισχυρές μονάδες IGCT.

Ε: Υποστηρίζει το 3BHB003230R0101 έχει η πλακέτα προστασία από διάβρωση;
Α: Ναι, το πρόθεμα AE υποδηλώνει ότι η επιφάνεια της πλακέτας κυκλωμάτων (PCB) έχει επίστρωση αντιδιαβρωτικής προστασίας.