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Para ABB

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módulo IGCT 3BHB003230R0101

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Visão Geral

Local de origem:

Suécia

Nome da marca:

ABB

Número do Modelo:

3BHB003230R0101

Detalhes da Embalagem:

Novo original, lacrado de fábrica

Prazo de Entrega:

5-7 Dias

Condições de Pagamento:

T/T

Capacidade de Fornecimento:

Em estoque

Especificações

Parâmetro

Valor

Nome do Produto

3BHB003230R0101

Tipo de módulo

Módulo IGCT

Dimensões

20 × 24 × 5 cm

Peso

1,2 kg

Classificação de Voltagem

1700 V

Corrente nominal

450 A a 25 °C de temperatura na carcaça (condições operacionais nominais)

Forma de Embalagem

Embalagem padrão SEMITRANS 3 (design modular para instalação e dissipação térmica)

Tecnologia do Chip

Chip IGBT de 7ª geração da ABB (baixas perdas de condução, alta frequência de comutação até 20 kHz, ≤1,8 V)

Interface de Dissipação Térmica

Substrato de cobre padrão compatível com sistemas refrigerados a água e a ar

Nível de Isolamento

2500 Vrms (conforme norma IEC 60747)

Temperatura de operação

-40 °C a +150 °C (temperatura de junção)

Descrição

O 3BHB003230R0101 é um módulo IGCT desenvolvido pela ABB para aplicações de alta tensão e alta potência. Ele integra a vasta experiência técnica da ABB em eletrônica de potência e controle, oferecendo aos usuários soluções eficientes e estáveis de controle de potência.

Este módulo IGCT demonstra excelente desempenho elétrico, capaz de operação estável sob condições de alta tensão e alta corrente, garantindo a confiabilidade e a segurança dos sistemas de potência. Sua tecnologia integrada de tiristores com desligamento por porta (IGCT) permite resposta rápida e baixas perdas durante os processos de comutação, aumentando assim a eficiência da conversão de potência.

Aplicações

Usina siderúrgica: suporta o sistema de conversão de frequência do laminador principal, capaz de lidar com dezenas de milhares de quilowatts.

Usina de mineração e beneficiamento: controla a acionagem síncrona de alta pressão de grandes moinhos de bolas.

Usina de fertilizantes: Gerencia os motores de alta pressão de grandes compressores de amônia.

Usina de eletrólise de alumínio: Responsável pela conversão e distribuição em larga escala de energia na estação retificadora.

Estaleiro: Utilizado no sistema de controle de propulsão elétrica de navios de grande porte.

Vantagem Competitiva

Alta densidade de potência

Layout otimizado do chip e projeto de encapsulamento permitem desempenho de 450 A/1700 V em um fator de forma compacto.

Ideal para inversores de alta tensão, inversores para sistemas de armazenamento de energia e outros dispositivos com restrições de espaço.

Características de Baixas Perdas

chip IGBT de 7ª geração minimiza as perdas de condução e comutação.

Melhora a eficiência geral do sistema (típica ≥ 98,5%) e reduz o consumo energético durante a operação.

Alta fiabilidade

Diodo de roda livre integrado (FWD) com elevada capacidade de corrente de sobrecarga.

O encapsulamento utiliza materiais isolantes resistentes à temperatura para suportar flutuações térmicas industriais e vibrações.

Perguntas Frequentes

P: O 3BHB003230R0101 o próprio IGCT?
R: Não, trata-se da placa de controle principal responsável por acionar e gerenciar os módulos IGCT.

P: Por que o sistema relata um "Erro de Comunicação IGCT" no 3BHB003230R0101 ?
R: Isso pode ser causado pelo envelhecimento do transmissor de fibra óptica embarcado ou por um cabo de fibra óptica conectado ao IGCT danificado.

P: O IGCT retomará automaticamente a operação após a substituição da placa-mãe do 3BHB003230R0101 ?
R: Não, o firmware da placa-mãe e os parâmetros lógicos do IGCT devem ser ressincronizados utilizando ferramentas dedicadas para PC.

P: Quantos módulos IGCT o 3BHB003230R0101 pode controlar?
R: Depende da topologia do sistema, mas normalmente uma placa de controle pode gerenciar de 6 a 12 unidades de potência IGCT.

P: O 3BHB003230R0101 placa possui proteção contra corrosão?
R: Sim, o sufixo AE indica que a superfície da placa de circuito impresso (PCB) possui um revestimento anticorrosivo.

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