3BHB003230R0101 IGCT-Modul

Übersicht

Herkunftsort:	Schweden
Markenname:	ABB
Modellnummer:	3BHB003230R0101
Verpackungseinzelheiten:	Original, neu, werkversiegelt
Lieferzeit:	5–7 Tage
Zahlungsbedingungen:	T/T
Lieferfähigkeit:	Auf Lager

Technische Daten

Parameter	Wert
Produktname	3BHB003230R0101
Modultyp	IGCT-Modul
Abmessungen	20 × 24 × 5 cm
Gewicht	1,2 kg
Nennspannung	1700 V
Bemessungsstrom	450 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C (Nennbetriebsbedingungen)
Verpackungsform	SEMITRANS-3-Standardverpackung (modulares Design für Montage und Wärmeableitung)
Chip-Technologie	ABB-IGBT-Chip der 7. Generation (niedrige Leitungsverluste, hohe Schaltfrequenz bis zu 20 kHz, ≤1,8 V)
Wärmeableitungs-Schnittstelle	Standard-Kupfersubstrat, kompatibel mit wassergekühlten und luftgekühlten Systemen
Isolierungsstufe	2500 Vrms (konform zu IEC 60747)
Betriebstemperatur	−40 °C bis +150 °C (Sperrschichttemperatur)

Beschreibung

Der 3BHB003230R0101 ist ein IGCT-Modul von ABB für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen. Es integriert ABBs umfangreiche technische Expertise im Bereich Leistungselektronik und Steuerung, um Anwendern effiziente und stabile Stromsteuerungslösungen bereitzustellen.

Dieses IGCT-Modul zeichnet sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften aus und ermöglicht einen stabilen Betrieb unter Hochspannungs- und Hochstrombedingungen, wodurch Zuverlässigkeit und Sicherheit der Stromversorgungssysteme gewährleistet werden. Die integrierte Gate-Turn-Off-Thyristor-(IGCT-)Technologie ermöglicht eine schnelle Reaktion und geringe Verluste während der Schaltvorgänge und steigert so die Effizienz der Leistungsumwandlung.

Anwendungen

Stahlwerk: Unterstützt das Frequenzumrichtersystem der Hauptwalzstraße, das Leistungen von mehreren zehntausend Kilowatt bewältigen kann.

Bergwerk und Aufbereitungsanlage: Steuert den hochspannungsfesten synchronen Antrieb großer Kugelmühlen.

Düngemittelanlage: Steuert die Hochdruckmotoren großer Ammoniakverdichter.

Aluminium-Elektrolyseanlage: Verantwortlich für die großskalige Leistungsumwandlung und -steuerung der Gleichrichterstation.

Werft: Wird im elektrischen Antriebskontrollsystem großer Schiffe eingesetzt.

Wettbewerbsvorteil

Hohe Leistungsdichte

Optimierte Chip-Anordnung und Gehäusedesign ermöglichen eine Leistung von 450 A/1700 V bei kompakter Bauform.

Ideal für Hochspannungs-Wechselrichter, Energiespeicher-Wechselrichter und andere platzbeschränkte Geräte.

Niedrige Verluste

iGBT-Chip der 7. Generation minimiert Leitungs- und Schaltverluste.

Erhöht die Gesamtsystemeffizienz (typisch ≥ 98,5 %) und senkt den Energieverbrauch im Betrieb.

Hohe Zuverlässigkeit

Integrierte Freilaufdiode (FWD) mit hoher Stoßstrombelastbarkeit.

Das Gehäuse verwendet temperaturbeständige Isoliermaterialien, um industriellen Temperaturschwankungen und Vibrationen standzuhalten.

FAQ

F: Ist die 3BHB003230R0101 der IGCT selbst?
A: Nein, es handelt sich um die zentrale Steuerplatine, die für das Ansteuern und Verwalten der IGCT-Module verantwortlich ist.

F: Warum meldet das System einen „IGCT-Kommunikationsfehler“ auf dem 3BHB003230R0101 ?
A: Dies kann durch Alterung des internen faseroptischen Senders oder durch ein beschädigtes faseroptisches Kabel, das den IGCT verbindet, verursacht sein.

F: Wird der IGCT nach dem Austausch der Hauptplatine des 3BHB003230R0101 ?
A: Nein, die Firmware der Hauptplatine und die logischen Parameter des IGCT müssen mithilfe spezieller PC-Tools neu synchronisiert werden.

F: Wie viele IGCT-Module können vom 3BHB003230R0101 steuern?
A: Dies hängt von der Systemtopologie ab; typischerweise kann eine Steuerplatine 6–12 IGCT-Leistungseinheiten verwalten.

F: Unterstützt das 3BHB003230R0101 platine korrosionsgeschützt?
A: Ja, das Suffix AE kennzeichnet, dass die Leiterplattenoberfläche mit einer korrosionshemmenden Beschichtung versehen ist.