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3BHB003230R0101 IGCT मॉड्यूल

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अवलोकन

मूल स्थान:

स्वीडन

ब्रांड का नाम:

एबीबी

मॉडल नंबर:

3BHB003230R0101

पैकिंग विवरण:

मूल नया कारखाना सील

डिलीवरी समय:

5-7 दिन

भुगतान शर्तें:

T/T

सप्लाई क्षमता:

स्टॉक में

विशिष्टताएँ

पैरामीटर

मूल्य

उत्पाद का नाम

3BHB003230R0101

मॉड्यूल प्रकार

IGCT मॉड्यूल

आयाम

20 × 24 × 5 सेमी

वजन

1.2 किग्रा

वेल्टेज रेटिंग

1700 वी

रेटेड करंट

450 ए @ 25 °से केस तापमान (अंकित संचालन स्थितियाँ)

पैकेज फॉर्म

SEMITRANS 3 मानक पैकेज (स्थापना और ऊष्मा अपवहन के लिए मॉड्यूलर डिज़ाइन)

चिप प्रौद्योगिकी

एबीबी 7वीं पीढ़ी की आईजीबीटी चिप (कम चालन हानि, उच्च स्विचिंग आवृत्ति 20 किलोहर्ट्ज़ तक, ≤1.8 वोल्ट)

ऊष्मा अपवहन इंटरफ़ेस

मानक तांबे का आधार, जो जल-शीतलित और वायु-शीतलित प्रणालियों के साथ संगत है

आइसोलेशन स्तर

2500 Vrms (IEC 60747 के अनुपालन में)

परिचालन तापमान

-40 °C से +150 °C (जंक्शन तापमान)

विवरण

3BHB003230R0101 यह एक IGCT मॉड्यूल है जिसे उच्च वोल्टेज और उच्च शक्ति वाले अनुप्रयोगों के लिए ABB द्वारा विकसित किया गया है। यह शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स और नियंत्रण में ABB के व्यापक तकनीकी विशेषज्ञता को एकीकृत करता है, जिससे उपयोगकर्ताओं को कुशल और स्थिर शक्ति नियंत्रण समाधान प्रदान किए जा सकें।

यह IGCT मॉड्यूल उत्कृष्ट विद्युत प्रदर्शन को प्रदर्शित करता है और उच्च वोल्टेज तथा उच्च धारा की स्थितियों के तहत स्थिर संचालन करने में सक्षम है, जिससे शक्ति प्रणालियों की विश्वसनीयता और सुरक्षा सुनिश्चित होती है। इसकी एकीकृत गेट टर्न-ऑफ थाइरिस्टर (IGCT) तकनीक स्विचिंग प्रक्रिया के दौरान तीव्र प्रतिक्रिया और कम हानि सुनिश्चित करती है, जिससे शक्ति परिवर्तन दक्षता में वृद्धि होती है।

अनुप्रयोग

इस्पात संयंत्र: मुख्य रोलिंग मिल की आवृत्ति परिवर्तन प्रणाली का समर्थन करता है, जो दस हज़ार किलोवाट तक की शक्ति को संभाल सकता है।

खनन और सांद्रण संयंत्र: बड़े बॉल मिलों के उच्च दाब समकालिक ड्राइव को नियंत्रित करता है।

उर्वरक संयंत्र: बड़े अमोनिया कंप्रेसरों के उच्च दाब वाले मोटरों का प्रबंधन करता है।

एल्युमीनियम विद्युत अपघटन संयंत्र: रेक्टिफायर स्टेशन के बड़े पैमाने पर विद्युत परिवर्तन और वितरण के लिए जिम्मेदार।

शिपयार्ड: बड़े जहाजों की विद्युत प्रणोदन नियंत्रण प्रणाली में उपयोग किया जाता है।

प्रतिस्पर्धात्मक लाभ

उच्च शक्ति घनत्व

अनुकूलित चिप लेआउट और पैकेज डिज़ाइन एक संक्षिप्त फॉर्म फैक्टर में 450 A/1700 V के प्रदर्शन को प्राप्त करते हैं।

उच्च वोल्टेज इन्वर्टर, ऊर्जा भंडारण इन्वर्टर और अन्य स्थान-सीमित उपकरणों के लिए आदर्श।

कम हानि विशेषताएँ

7वीं पीढ़ी की IGBT चिप चालन और स्विचिंग हानियों को न्यूनतम करती है।

समग्र प्रणाली दक्षता (आमतौर पर ≥ 98.5%) में सुधार करता है और संचालन के दौरान ऊर्जा खपत को कम करता है।

उच्च विश्वसनीयता

उच्च आकस्मिक धारा क्षमता वाला एकीकृत फ्रीव्हीलिंग डायोड (FWD)।

पैकेज में तापमान प्रतिरोधी विद्युत रोधी सामग्री का उपयोग किया गया है जो औद्योगिक तापमान उतार-चढ़ाव और कंपन को सहन कर सकता है।

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न: क्या 3BHB003230R0101 आईजीसीटी स्वयं?
उत्तर: नहीं, यह आईजीसीटी मॉड्यूल्स को चालित करने और प्रबंधित करने के लिए जिम्मेदार मुख्य नियंत्रण बोर्ड है।

प्रश्न: सिस्टम में “आईजीसीटी संचार त्रुटि” क्यों रिपोर्ट की जाती है? 3BHB003230R0101 ?
उत्तर: यह ऑनबोर्ड फाइबर ऑप्टिक ट्रांसमीटर के जूनून (वयोवृद्धि) या आईजीसीटी से जुड़े फाइबर ऑप्टिक केबल के क्षतिग्रस्त होने के कारण हो सकता है।

प्रश्न: क्या आईजीसीटी बोर्ड के मदरबोर्ड को बदलने के बाद आईजीसीटी स्वतः ही संचालन फिर से शुरू कर देगा? 3BHB003230R0101 ?
उत्तर: नहीं, मदरबोर्ड फर्मवेयर और आईजीसीटी तार्किक पैरामीटर्स को समरूपित करने के लिए समर्पित पीसी उपकरणों का उपयोग करना आवश्यक है।

प्रश्न: आईजीसीटी मॉड्यूल्स की अधिकतम संख्या कितनी हो सकती है जो 3BHB003230R0101 कितने नियंत्रण वाल्वों को नियंत्रित कर सकता है?
उत्तर: यह सिस्टम टोपोलॉजी पर निर्भर करता है, लेकिन आमतौर पर एक नियंत्रण बोर्ड 6–12 आईजीसीटी पावर यूनिट्स का प्रबंधन कर सकता है।

प्र: क्या 3BHB003230R0101 बोर्ड पर जंग रोधी सुरक्षा है?
उत्तर: हाँ, AE उपसर्ग इंगित करता है कि पीसीबी सतह पर जंग रोधी कोटिंग लगाई गई है।

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