โมดูล IGCT รุ่น 3BHB003230R0101 ประเทศจีน ผู้ผลิต ผู้จัดจำหน่าย และโรงงานผู้ผลิตโมดูล IGCT รุ่น 3BHB003230R0101

ภาพรวม

สถานที่ผลิต:	สวีเดน
ชื่อแบรนด์:	ABB
หมายเลขรุ่น:	3BHB003230R0101
รายละเอียดการบรรจุภัณฑ์:	ของใหม่ของแท้จากโรงงาน บรรจุภัณฑ์ยังไม่เปิด
ระยะเวลาจัดส่ง:	5-7 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T
ความสามารถในการจัดหาสินค้า:	สินค้าพร้อมส่ง

ข้อกำหนด

พารามิเตอร์	ค่า
ชื่อผลิตภัณฑ์	3BHB003230R0101
ประเภทโมดูล	โมดูล IGCT
มิติ	20 × 24 × 5 ซม.
น้ำหนัก	1.2 กิโลกรัม
ค่าแรงดันไฟฟ้า	1700 V
กระแสที่กำหนด	450 A ที่อุณหภูมิของตัวเรือน 25 °C (เงื่อนไขการใช้งานตามค่าที่ระบุ)
รูปแบบบรรจุภัณฑ์	บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน SEMITRANS 3 (ออกแบบแบบโมดูลาร์เพื่อการติดตั้งและการระบายความร้อน)
เทคโนโลยีชิป	ชิป IGBT รุ่นที่ 7 ของ ABB (สูญเสียพลังงานจากการนำไฟฟ้าต่ำ ความถี่ในการสลับสูงสุดถึง 20 กิโลเฮิร์ตซ์ และแรงดันตกคร่อมไม่เกิน 1.8 V)
อินเทอร์เฟซการระบายความร้อน	แผ่นฐานทองแดงมาตรฐานที่เข้ากันได้กับระบบระบายความร้อนด้วยน้ำและระบบระบายความร้อนด้วยอากาศ
ระดับการแยกสัญญาณ	2500 Vrms (สอดคล้องตามมาตรฐาน IEC 60747)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40 °C ถึง +150 °C (อุณหภูมิที่ขั้วต่อ)

คำอธิบาย

The 3BHB003230R0101 เป็นโมดูล IGCT ที่พัฒนาโดย ABB สำหรับการใช้งานแรงดันสูงและกำลังไฟฟ้าสูง โดยรวมองค์ความรู้เชิงเทคนิคที่กว้างขวางของ ABB ด้านอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังและการควบคุม เพื่อให้ผู้ใช้งานได้รับโซลูชันการควบคุมกำลังไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพและเสถียร

โมดูล IGCT นี้แสดงสมรรถนะทางไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยม สามารถทำงานอย่างเสถียรภายใต้สภาวะแรงดันสูงและกระแสสูง จึงรับประกันความน่าเชื่อถือและความปลอดภัยของระบบไฟฟ้า เทคโนโลยี thyristor แบบปิดขั้วควบคุมในตัว (IGCT) ที่รวมอยู่ภายในช่วยให้ตอบสนองได้อย่างรวดเร็วและสูญเสียพลังงานต่ำในระหว่างกระบวนการสลับสถานะ จึงเพิ่มประสิทธิภาพในการแปลงพลังงาน

การประยุกต์ใช้งาน

โรงงานผลิตเหล็ก: รองรับระบบเปลี่ยนความถี่ของเครื่องรีดหลัก ซึ่งสามารถจัดการกำลังไฟฟ้าได้หลายหมื่นกิโลวัตต์

เหมืองแร่และโรงงานแต่งแร่: ควบคุมการขับเคลื่อนแบบซิงโครนัสแรงดันสูงของถังบดทรงกลมขนาดใหญ่

โรงงานผลิตปุ๋ย: ควบคุมมอเตอร์แรงดันสูงของเครื่องอัดแอมโมเนียขนาดใหญ่

โรงกลั่นอลูมิเนียมแบบอิเล็กโทรไลซิส: รับผิดชอบการแปลงพลังงานไฟฟ้าและการจ่ายไฟในระดับใหญ่ที่สถานีเรกติไฟเออร์

โรงต่อเรือ: ใช้ในระบบควบคุมขับเคลื่อนด้วยไฟฟ้าของเรือขนาดใหญ่

จุดแข็งในการแข่งขัน

ความหนาแน่นของพลังงานสูง

การออกแบบเลย์เอาต์ชิปและแพ็กเกจที่ปรับปรุงแล้วทำให้สามารถบรรลุสมรรถนะ 450 A/1700 V ได้ในรูปทรงที่กะทัดรัด

เหมาะสำหรับอินเวอร์เตอร์แรงดันสูง อินเวอร์เตอร์เก็บพลังงาน และอุปกรณ์อื่นๆ ที่มีข้อจำกัดด้านพื้นที่

คุณสมบัติการสูญเสียต่ำ

ชิป IGBT รุ่นที่ 7 ลดการสูญเสียจากการนำกระแสและการสลับสัญญาณให้น้อยที่สุด

เพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมของระบบ (โดยทั่วไป ≥ 98.5%) และลดการใช้พลังงานขณะทำงาน

ความน่าเชื่อถือสูง

ไดโอดแบบฟรีวีลลิ่ง (FWD) แบบบูรณาการที่มีความสามารถในการรองรับกระแสกระชากสูง

แพ็กเกจใช้วัสดุฉนวนที่ทนต่ออุณหภูมิสูง เพื่อทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิและการสั่นสะเทือนในสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรม

คำถามที่พบบ่อย

ถาม: ตัว 3BHB003230R0101 iGCT ตัวเองหรือไม่?
ตอบ: ไม่ใช่ นี่คือบอร์ดควบคุมหลักที่ทำหน้าที่ขับเคลื่อนและจัดการโมดูล IGCT

ถาม: เหตุใดระบบจึงรายงานข้อผิดพลาด “IGCT Communication Error” บน 3BHB003230R0101 ?
ตอบ: อาจเกิดจากตัวส่งสัญญาณไฟเบอร์ออปติกบนบอร์ดเสื่อมสภาพ หรือสายไฟเบอร์ออปติกที่เชื่อมต่อกับ IGCT เสียหาย

ถาม: IGCT จะกลับมาทำงานอัตโนมัติหลังจากเปลี่ยนเมนบอร์ดของ 3BHB003230R0101 ?
ตอบ: ไม่ได้ ต้องปรับให้เฟิร์มแวร์ของเมนบอร์ดกับพารามิเตอร์ตรรกะของ IGCT สอดคล้องกันอีกครั้งโดยใช้เครื่องมือเฉพาะสำหรับคอมพิวเตอร์

ถาม: บอร์ดสามารถรองรับโมดูล IGCT ได้กี่ตัว 3BHB003230R0101 ได้?
ตอบ: ขึ้นอยู่กับโครงสร้างระบบ (system topology) แต่โดยทั่วไปแล้วบอร์ดควบคุมหนึ่งตัวสามารถจัดการหน่วยกำลัง IGCT ได้ 6–12 หน่วย

คำถาม: ตัว 3BHB003230R0101 บอร์ดมีการป้องกันการกัดกร่อนหรือไม่?
ตอบ: ใช่ ตัวอักษร AE ที่ระบุไว้หมายความว่าพื้นผิวของแผงวงจรพิมพ์ (PCB) มีสารเคลือบป้องกันการกัดกร่อน