ບ໋ອດປ້ອນ/ສົ່ງສັນຍານແບບແຍກຕ່າງຫາກ IS200VCRCH1BBB

ຂໍ້ມູນທົ່ວໄປ

ທີ່ມາ:	ສະຫະລັດອາເມລິກາ
ชื่อแบรนด์:	Ge
หมายเลขรุ่น:	IS200VCRCH1BBB
ລາຍລະອຽດການເ泰国:	ແທ້ໝົດ, ຜະລິດຈາກໂຮງງານຜູກມັດ
ເວລາຈັດສົ່ງ:	5-7 ວັນ
ສິນທີ່ຈ່າຍ:	T/T
ຄວາມສາມາດໃນການສະໜອງ:	ມີສິນຄ້າໃນສາງ

ຂໍ້ກຳນົດ

ຄຳອະທິບາຍ

IS200VCRCH1BBB ແມ່ນບ໋ອດປ້ອນ/ສົ່ງສັນຍາານແບບແຍກຕ່າງຫາກທີ່ພັດທະນາໂດຍ GE. ມັນເປັນສ່ວນໜຶ່ງຂອງລະບົບຄວບຄຸມ Mark VI. ບ໋ອດປ້ອນສັນຍານແບບແຍກຕ່າງຫາກ/ບ໋ອດສົ່ງສັນຍານແບບເຮຼື່ອ ແມ່ນເປັນມໍດູນທີ່ອອກແບບມາເພື່ອຈັດການສັນຍານປ້ອນ ແລະ ສົ່ງສັນຍານແບບແຍກຕ່າງຫາກຈຳນວນຫຼາຍພາຍໃນລະບົບທີ່ອີງໃສ່ VME. ມໍດູນທີ່ມີຄວາມກວ້າງແຄບນີ້ເປັນສ່ວນທີ່ສຳຄັນຂອງລະບົບຄວບຄຸມທີ່ຕ້ອງການຄວາມສາມາດໃນການຈັດການສັນຍານປ້ອນ/ສົ່ງສັນຍານທີ່ເຂັ້ມແຂງ.

ການນຳໃຊ້

ເຄື່ອງຈັກຜະລິດພະລັງງານຄວາມຮ້ອນ: ໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນໝວດຜະລິດພະລັງງານທີ່ຕິດຕັ້ງເຄື່ອງຈັກທີ່ໃຊ້ເຊື້ອເພິງທີ່ເປັນເຄື່ອງຈັກເທີບີນເກີ (gas turbines) ຂອງ GE ຊຸດ Frame 6, 7, ແລະ 9 ແລະ ເຄື່ອງຈັກທີ່ໃຊ້ເທີບີນເກີເພື່ອຜະລິດໄຟຟ້າຈາກໄອ (steam turbines).

ເຄື່ອງຈັກຜະລິດພະລັງງານແບບຮ່ວມ (CCGT): ໃຊ້ເພື່ອຈັດການລະບົບຄວບຄຸມການເຊື່ອມຕໍ່ກັນລະຫວ່າງເຕົາໄຟທີ່ໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫຼືອ (HRSG) ແລະ ເຄື່ອງຈັກທີ່ໃຊ້ເທີບີນເກີເພື່ອຜະລິດໄຟຟ້າຈາກໄອ (steam turbine).

ໂຮງກິນນ້ຳມັນ ແລະ ກາຊ: ໃຊ້ເພື່ອຄວບຄຸມລະບົບການເຊື່ອມຕໍ່ກັນທາງດ້ານເຫດຜົນຂອງເຄື່ອງຈັກອັດອາກາດແບບເຄື່ອງຈັກເທີບີນເກີສູນກາງ (centrifugal compressor units) ຢ່າງໃຫຍ່ ແລະ ໂຮງຜະລິດໄຟຟ້າທີ່ເປັນຂອງຕົວເອງ (captive power plants).

ເຄື່ອງຈັກຜະລິດພະລັງງານນິວເຄີຍ: ໃຊ້ໃນລະບົບຄວບຄຸມເກາະທີ່ບໍ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຄວາມປອດໄພ (non-safety-grade conventional island control system), ທີ່ຮັບຜິດຊອບຕໍ່ເຫດຜົນການປ່ຽນແປງຂອງອຸປະກອນຊ່ວຍ.

ໂຮງງານເຄມີພຶດຊະກຳຂະໜາດໃຫຍ່: ໃຊ້ໃນສູນພະລັງງານທີ່ຕ້ອງການການປ້ອງກັນດ້ວຍຮີເລີ້ (relay protection) ທີ່ມີຄວາມເຊື່ອຖືໄດ້ສູງ, ເຊັ່ນ: ໜ່ວຍການແຕກຕົວ (cracking units) ແລະ ໜ່ວຍການສັງເຄດເອມ້ອນຽ (ammonia synthesis units).

ໂຮງລ້ອນເຫຼັກ: ເປັນຜູ້ຮັບຜິດຊອບຕໍ່ການຄວບຄຸມລຳດັບຂອງແຖວຜະລິດເຫຼັກທີ່ຂັບເຄື່ອນດ້ວຍມໍເຕີ້ເຄື່ອນສັນຈອນ (synchronous motor) ທີ່ມີພະລັງງານສູງ ແລະ ລະບົບຈ່າຍພະລັງງານ.

ໂຮງເຈື້ອປ່າຍຂະໜາດໃຫຍ່: ໃຊ້ສຳລັບເຫດຜົນຂອງຂະບວນການ (process logic) ແລະ ການປ້ອງກັນອຸປະກອນຂອງໜ່ວຍຜະລິດພະລັງງານຮ່ວມ (cogeneration units) ທີ່ໃຊ້ເພື່ອຕົວເອງ.

ຄຸນລັກສະນະ

1 ການປ້ອນຂໍ້ມູນ (Inputs) ແລະ ການສົ່ງອອກ (Outputs): ພ້ອມດ້ວຍບໍດລູກ (daughterboard) ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ, ໂມດູນນີ້ສາມາດຈັດການສັນຍານຈຳນວນຫຼາຍ. ມັນຮັບສັນຍານເຂົ້າແບບແຍກຕ່າງຫາກ (discrete inputs) ໄດ້ສູງສຸດ 48 ສັນຍານ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ມັນສາມາດຕິດຕາມສັນຍານແລະສະຖານະການພາຍນອກຈຳນວນຫຼາຍ. ນອກຈາກຄວາມສາມາດໃນການຮັບສັນຍານເຂົ້າແລ້ວ, ມັນຍັງຄວບຄຸມສັນຍານອອກຈາກຮີເລີ້ (relay outputs) ໄດ້ 24 ສັນຍານ. ສັນຍານອອກເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ບໍດນີ້ສາມາດເປີດ ຫຼື ປິດອຸປະກອນພາຍນອກ, ເຊັ່ນ: ມໍເຕີ້, ແສງ, ຫຼື ອຸປະກອນອື່ນໆທີ່ຂັບເຄື່ອນດ້ວຍຮີເລີ້.

2 ບ່ອນເຊື່ອມຕໍ່ສາຍ: ສັນຍານທີ່ເຂົ້າແລະອອກຈະຖືກຈັດການຜ່ານບ່ອນເຊື່ອມຕໍ່ສາຍທັງໝົດ 4 ແຜ່ນ. ບ່ອນເຊື່ອມຕໍ່ສາຍເຫຼົ່ານີ້ເປັນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ສາຍໄຟພາຍນອກຈະເຊື່ອມຕໍ່ເຂົ້າກັບໂມດູນ. ບ່ອນເຊື່ອມຕໍ່ສາຍທີ່ກ່ຽວຂ້ອງຄື: TBCI: ແຜ່ນນີ້ຖືກໃຊ້ເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ສັນຍານເຂົ້າແບບແຍກຕ່າງຫາກ. TRLY: ແຜ່ນນີ້ຖືກໃຊ້ເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ແລະຄວບຄຸມສັນຍານອອກແບບຮີເລ.

3 ການຕິດຕັ້ງໂມດູນໃນ Rack VME I/O: ໂມດູນນີ້ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຕິດຕັ້ງຢູ່ໃນ Rack VME I/O, ເຊິ່ງເປັນເວທີຮາດແວມາດຕະຖານທີ່ມັກຖືກໃຊ້ໃນການນຳໃຊ້ດ້ານອຸດສາຫະກຳ ແລະ ການຄຳນວນຝັງຕົວ. Rack VME ໃຫ້ພື້ນຖານທີ່ຈຳເປັນສຳລັບພະລັງງານ, ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ ແລະ ການເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງໂມດູນຕ່າງໆ.

4 ການເຊື່ອມຕໍ່: ຕູ້ VME I/O ມີເຄື່ອງເຊື່ອມຕໍ່ J3/J4 ສອງຊຸດ ເຫຼົ່ານີ້ຖືກໃຊ້ເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ສາຍໄຟກັບບໍດທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ສັນຍາ (TBCI) ແລະ ບໍດທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ຮີเลย໌ (TRLY) ເຄື່ອງເຊື່ອມຕໍ່ J3/J4 ແມ່ນເປັນສ່ວນໜຶ່ງຂອງມາດຕະຖານ VMEbus ເຊິ່ງໃຫ້ວິທີທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ໃນການສື່ສານ ແລະ ການຈ່າຍພະລັງງານລະຫວ່າງແມັດແລະບໍດທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.

ຊ່ອງໃສ່ຂໍ້ມູນຕິດຕໍ່

1 ສາຍເຂົ້າທຳອິດ 24 ສາຍ: ສາຍເຂົ້າແບບ dry contact ທຳອິດ 24 ສາຍ ເຊື່ອມຕໍ່ກັບບໍດທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ສັນຍາ (TBCI) ເຊິ່ງເປັນອິນເຕີເຟດຫຼັກສຳລັບການລວມສັນຍາ.

2 ສາຍເຂົ້າທີ່ 25–48: ສາຍເຂົ້າທີ່ 25 ຫາ 48 ຕ້ອງການບໍດ TBCI ອີກອັນໜຶ່ງ ເພື່ອໃຫ້ເກີດການຂະຫຍາຍຢ່າງງ່າຍດາຍ ໂດຍຍັງຮັກສາການເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ເປັນລະເບີຍບໍ່ເປັນສັບສົນ.

3 ການຈ່າຍພະລັງງານ DC: ລະບົບສະໜອງພະລັງງານ DC ພາຍໃນສຳລັບສາຍເຂົ້າແບບ dry contact ເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສັບສົນຂອງການເຊື່ອມສາຍ ແລະ ຍົກເລີກຄວາມຈຳເປັນທີ່ຈະຕ້ອງໃຊ້ພະລັງງານຈາກແຫຼ່ງພາຍນອກ.

4 ສາຍໄຟທີ່ມີເຄື່ອງເຊື່ອມຕໍ່ປັ້ມຂຶ້ນຮູບ: ບໍດທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບຕູ້ VME ຜ່ານສາຍໄຟທີ່ມີເຄື່ອງເຊື່ອມຕໍ່ປັ້ມຂຶ້ນຮູບ ເພື່ອຮັບປະກັນການຖ່າຍໂອນຂໍ້ມູນໄປຫາບໍດປະມວນຜົນຢ່າງໝັ້ນຄົງ ແລະ ມີການຮີບສັນຍາຕ່ຳ.

ອັດຕາການສະແກນ 5 1 ມີລິຊີຄອນ: ເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງໄວວ່າ 1 ມີລິຊີຄອນ, ເຮັດໃຫ້ການຕິດຕາມເປັນຈິງໃນເວລາຈິງດ້ວຍຄວາມຖືກຕ້ອງສູງໃນການນຳໃຊ້ທີ່ສຳຄັນເຊັ່ນ: ການຄວບຄຸມເຄື່ອງຈັກເທີບິນ.

6 ອຸປະກອນບັນທຶກ SOE: ບັນທຶກການປ່ຽນແປງຂອງທຸກໆຈຸດຕິດຕໍ່ດ້ວຍຄວາມຖືກຕ້ອງ 1 ມີລິຊີຄອນ ເພື່ອການຕິດຕາມເຫດການ ແລະ ການວິເຄາະບັນຫາຢ່າງຖືກຕ້ອງ.

7 ການລາຍງານການສັ່ນສະເທືອນຂອງຈຸດຕິດຕໍ່: ສາມາດຈັບແລະລາຍງານການປ່ຽນແປງຢ່າງໄວວ່າຂອງຈຸດຕິດຕໍ່, ເພື່ອຊ່ວຍໃນການປະເມີນສະພາບການທີ່ບໍ່ເສຖຽນ.

8 ການຈັບຄວາມກວ້າງຂອງສັນຍານ: ສາມາດຈັບຄວາມກວ້າງຂອງສັນຍານທີ່ສັ້ນທີ່ສຸດໄດ້ທີ່ 6 ມີລິຊີຄອນ, ເພື່ອໃຫ້ເຫດການທີ່ເກີດຂຶ້ນຢ່າງໄວວ່າບໍ່ຖືກຂ້າມ.

ຄໍາ ຖາມ ທີ່ ມັກ ຖາມ

Q: IS200VCRCH1BBB ແມ່ນຫຍັງ?

A: IS200VCRCH1BBB ແມ່ນບ໋ອດການປ້ອນ/ສົ່ງຂໍ້ມູນແບບແຍກຕ່າງຫາກ (Discrete Input/Output Board) ທີ່ພັດທະນາໂດຍ GE ໃນຊຸດ Mark VI.

Q: ຈຸດຕິດຕໍ່ປ້ອນຂໍ້ມູນ 24 ຈຸດທຳອິດເຊື່ອມຕໍ່ແນວໃດກັບ IS200VCRCH1BBB?

A: ຈຸດຕິດຕໍ່ປ້ອນຂໍ້ມູນແຫ້ງ (dry contact inputs) 24 ຈຸດທຳອິດຂອງ IS200VCRCH1BBB ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບບ໋ອດເຊື່ອມຕໍ່ຈຸດຕິດຕໍ່ (contact input terminal board) ທີ່ເອີ້ນວ່າ TBCI (Terminal Board for Contact Inputs).

Q: ຖ້າຂ້ອຍຕ້ອງການຈຸດຕິດຕໍ່ປ້ອນຂໍ້ມູນຫຼາຍກວ່າ 24 ຈຸດໃນ IS200VCRCH1BBB ຈະເປັນແນວໃດ?

A: ສຳລັບການປ້ອນຂໍ້ມູນທີ່ເລກທີ 25 ເຖິງ 48 ໃນ IS200VCRCH1BBB, ຕ້ອງໃຊ້ບໍດຕໍ່ເພີ່ມອີກອັນໜຶ່ງ. ການຈັດຕັ້ງນີ້ຊ່ວຍໃຫ້ລະບົບຂະຫຍາຍຄວາມສາມາດໃນການຮັບຂໍ້ມູນໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ ໂດຍການເພີ່ມບໍດຕໍ່ອີກອັນດຽວ.

Q: ຈຳເປັນຕ້ອງໃຊ້ແຮງດັນພາຍນອກສຳລັບການປ້ອນຂໍ້ມູນຈຸດຕິດຕໍ່ຂອງ IS200VCRCH1BBB ຫຼືບໍ່?

A: ບໍ່, ແຮງດັນ DC ສຳລັບການປ້ອນຂໍ້ມູນຈຸດຕິດຕໍ່ຂອງ IS200VCRCH1BBB ຖືກສະໜອງໃຫ້ຢູ່ພາຍໃນລະບົບ. ສິ່ງນີ້ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສັບສົນຂອງການເຊື່ອມຕໍ່ລວມທັງການປະຢັດການໃຊ້ແຮງດັນພາຍນອກ.

Q: ບໍດຕໍ່ຂອງ IS200VCRCH1BBB ແຕ່ລະອັນເຊື່ອມຕໍ່ກັບ Rack VME ແນວໃດ?

A: ບໍດຕໍ່ຂອງ IS200VCRCH1BBB ແຕ່ລະອັນເຊື່ອມຕໍ່ກັບ Rack VME ຜ່ານເຄເບີ້ນທີ່ມີປຸ້ມເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ປັ້ມຂຶ້ນມາ. ເຄເບີ້ນເຫຼົ່ານີ້ຮັບປະກັນການເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ໝັ້ນຄົງ ແລະ ນ່າເຊື່ອຖື, ເຮັດໃຫ້ການຖ່າຍໂອນຂໍ້ມູນໄປຍັງບໍດປະມວນຜົນໃນ Rack VME ເກີດຂຶ້ນໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ.

Q: ອັດຕາການສະແກນຂອງການປ້ອນຂໍ້ມູນຈຸດຕິດຕໍ່ຂອງ IS200VCRCH1BBB ແມ່ນເທົ່າໃດ?

A: IS200VCRCH1BBB ໃຫ້ການສະແກນ ແລະ ບັນທຶກທີ່ມີຄວາມໄວສູງດ້ວຍອັດຕາ 1 ມີລີວິນາທີ (ms). ສິ່ງນີ້ມີຄວາມສຳຄັນຢ່າງຍິ່ງຕໍ່ການນຳໃຊ້ທີ່ຕ້ອງການການຕິດຕາມທີ່ຖືກຕ້ອງ ແລະ ເລີວ.